Sieć Badawcza Łukasiewicz - Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki - kontakt, usługi B2B, badania technologiczne

Sieć Badawcza Łukasiewicz – Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (IMiF) to państwowa jednostka badawcza z siedzibą główną w Warszawie. Oddział w Piasecznie przy ul. Okulickiego 5E specjalizuje się w mikroelektronice krzemowej oraz systemach sensorowych, prowadząc prace badawczo-rozwojowe i oferując usługi technologiczne dla przemysłu. To tu powstają detektory, czujniki MEMS, struktury mikrofluidyczne oraz prototypy urządzeń z krzemu, węgliku krzemu (SiC) i półprzewodników tlenkowych.

Spis treści

• Najważniejsze sprawy – telefony
• Kontakt i lokalizacja
• Zakres działalności
• Oferta technologiczna
• Pomiary i charakteryzacja
• Co załatwisz gdzie indziej
• FAQ

Najważniejsze sprawy

Kontakt i lokalizacja

Adres: ul. Okulickiego 5E, 05–500 Piaseczno

Telefony:

• Dyrektor Oddziału: 22 279 32 00
• Grupa Badawcza B3-2 (technologia krzemowa, produkcja detektorów, usługi technologiczne): 22 279 32 01
• Grupa Badawcza B3-3 (charakteryzacja, metrologia, pomiary): 22 279 32 26

Kontakt elektroniczny:

• Elektroniczna Skrzynka Podawcza: /L-IMiF/SkrytkaESP
• Adres do e-doręczeń: AE:PL-32190-17732-FJIEG-29

E-mail ogólny: [email protected] (dla spraw ogólnych)

Siedziba główna instytutu mieści się w Warszawie przy al. Lotników 32/46. Dojazd do Piaseczna: komunikacja miejska z Warszawy (linie podmiejskie) lub samochodem.

Zakres działalności: mikroelektronika krzemowa i systemy sensorowe

Oddział w Piasecznie prowadzi prace badawczo-rozwojowe w dziedzinie mikrotechnologii opartej na krzemie, oferując opracowywanie i niskoseryjną produkcję urządzeń mikro- i nanotechnologicznych.

Produkcja i projektowanie detektorów:

• Fotodiody krzemowe (350–1100 nm) – małe, szybkie fotodiody dla technik światłowodowych i laserowych, fotodiody o dużej powierzchni (w tym kwadrantowe), wieloelementowe matryce fotodiodowe
• Detektory promieniowania jonizującego – duże matryce detektorowe do zastosowań w dozymetrii i eksperymentach fizyki wysokich energii
• Detektory THz
• Detektory cieplnoprzewodnościowe (TCD) – oparte o rezystory platynowe, stosowane do detekcji analitu w mieszaninie gazów oraz jako mikrofony przemysłowe (także dla trudnych warunków pracy)

Systemy MEMS i sondy:

• Czujniki mikromechaniczne wykorzystujące zjawisko rezonansu mechanicznego
• Sondy dla mikroskopii AFM (atomowej siły) i SThM (skaningowej termicznej mikroskopii siłowej) – z ostrzem, bez ostrza (tipless), z piezorezystywną detekcją ugięcia, sondy do pomiarów termicznych na powierzchniach bez kontrastu topograficznego
• Detektory grawimetryczne – ultraczułe (zakres pikogramów), pojedyncze lub linijki detektorów

Struktury mikrofluidyczne:

• Wytwarzanie struktur krzemowych, krzemowo-szklanych i ceramicznych wyposażonych w złączki i porty
• Integracja struktur detektorowych w układach przepływowych dla zastosowań analitycznych, chemicznych i biomedycznych

Oferta technologiczna i produkcyjna

Oddział dysponuje linią technologiczną podzespołów krzemowych i oferuje szeroki zakres usług dla przemysłu elektronicznego, optycznego oraz badawczego.

Obróbka mechaniczna:

• Precyzyjne szlifowanie powierzchni (urządzenie G&N MPS 2R300S) – pocienianie materiałów (Si, szkło, szafir, ceramika, metale) z dokładnością ±1 µm, maks. średnica ok. 150 mm
• Obróbka CNC (ATMS MILLELITE C23 PRO) – frezowanie 3-osiowe i wiercenie w miedzi, mosiądzu, aluminium i stali

Litografia i trawienie:

• Fotolitografia DUV – wymiar krytyczny 0,8–1 µm
• Elektronolitografia (EBL) – rozdzielczość 50 nm, dokładność wzoru <15 nm, siatka adresowania 1 nm, wymiary wzoru do 200×200 mm²
• Reaktywne trawienie ICP/RIE w plazmach chlorowych lub freonowych

Osadzanie warstw:

• Metodą ALD – osadzanie dielektryków (tlenki i azotki metali: HfO₂, ZrO₂, Ta₂O₅, Al₂O₃, SiO₂) na strukturach płaskich i 3D (do 6 cali)
• Metodą magnetronową – osadzanie związków o podwyższonej odporności (TiN, TiC, RuSiO), tlenków półprzewodnikowych (In-Ga-Zn-O, Ru-Si-O) oraz warstw ekranujących
• Metodą elektrochemiczną – osadzanie Au lub Cu o grubości do kilku mikrometrów (do 3 cali)
• Osadzanie metali technikami próżniowymi – Ti, Mo, Cu, Ni, Mg, W, Au, Al, Pt, Pd, Cr i in. na podłożach do 4 cali, także 3D (obudowy, detale mechaniczne)

Separacja struktur: Cięcie krzemu, szkła, szafiru, ceramiki i metali piłą Disco na płytkach o średnicy do 150 mm i grubości 3–4 mm. Najmniejsze wykonane cięcie: 50×50 mikrometrów. Możliwość dostarczenia struktur na folii adhezyjnej/blue tape lub w pudełkach/gelpackach.

Mikromontaż:

• Pozycjonowanie i montaż struktur (Fineplacer Pico) z dokładnością 5 µm (BGA, Flip Chips, sensory, mikrooptyka)
• Wire bonding (wedge-wedge, ball-wedge), die bonding, flip-chip, montaż struktur w obudowach (w tym detektorowych i ASIC)

Wygrzewanie RTA/RTP: Układ szybkiego termicznego processingu AccuThermo AW-610 – wygrzewanie do 900°C z dokładnością ±1°C, maksymalny wzrost temperatury 100°C/s, podłoża do 4 cali, otoczenia gazowe z regulowanym przepływem azotu.

Pomiary, charakteryzacja i aparatura badawcza

Grupa B3-3 zajmuje się zaawansowaną charakteryzacją przyrządów półprzewodnikowych.

Pomiary on-wafer:

• Charakterystyki prądowo-napięciowe (I-V) w temperaturach od 10 K do 300°C
• Pomiary wysokonapięciowe (Cascade Tesla) – do 3 kV, prąd ciągły 1 A, impulsowy 20 A
• Pomiary w komorze kriogenicznej od 10 K

Pomiary pojemnościowo-napięciowe (C-V): Kondensatory MOS i diody, zakres częstotliwości 1 kHz – 1 MHz

Zaawansowane analizy:

• Wieloparametryczna spektroskopia admitancyjna (MPAS) – analiza pułapek ładunku i ich gęstości energetycznej
• Wielozadaniowy System Badań Fotoelektrycznych (WSBF) – określanie barier potencjału, pracy wyjścia i efektów kontaktowej różnicy potencjałów (dokładność ±10 mV)
• Spektroskopia termoodbiciowa – wysokorozdzielcze pomiary rozkładów temperatury na powierzchni przyrządów

Czego nie załatwisz w Oddziale w Piasecznie?

Niektóre usługi wymagają kontaktu z innymi jednostkami instytutu:

• Certyfikacja i badania sprzętu AGD – realizowane w Warszawie (ul. Krakowiaków)
• Technologia LTCC i ceramika wielowarstwowa – realizowane w Oddziale w Krakowie (ul. Zabłocie)
• Badania nad grafenem płatkowym i materiałami fotonicznymi – realizowane w Warszawie (ul. Wólczyńska)
• Lasery kaskadowe i fotonika podczerwieni – realizowane w siedzibie głównej w Warszawie (al. Lotników)

FAQ

1. Co to jest Sieć Badawcza Łukasiewicz? Sieć Badawcza Łukasiewicz to polska sieć instytutów badawczych działających pod wspólnym szyldem. Instytut Mikroelektroniki i Fotoniki (IMiF) należy do tej sieci.

2. Kto jest właścicielem Sieci Badawczej Łukasiewicz? Właścicielem jest Skarb Państwa.

3. Gdzie dokładnie znajduje się oddział w Piasecznie? ul. Okulickiego 5E, 05–500 Piaseczno. Siedziba główna instytutu mieści się w Warszawie przy al. Lotników 32/46.

4. Jaki telefon wybrać, żeby zamówić detektory lub usługi technologiczne? 22 279 32 01 – to numer Grupy Badawczej B3-2, która zajmuje się projektowaniem detektorów, systemami MEMS, strukturami mikrofluidycznymi oraz usługami technologicznymi (cięcie, mikromontaż, litografia).

5. Czy można tu wykonać pomiary charakterystyk elektrycznych przyrządów półprzewodnikowych? Tak, w ramach Grupy B3-3 (tel. 22 279 32 26) wykonywane są pomiary I-V, C-V, wysokonapięciowe, kriogeniczne oraz zaawansowane analizy fotoelektryczne i termoodbiciowe.

6. Czy instytut sprzedaje gotowe płytki krzemowe? Tak, oferowane są płytki krzemowe o średnicy do 100 mm według specyfikacji zamawiającego – kontakt: 22 279 32 01.

7. Jakie technologie litograficzne są dostępne w Piasecznie? Fotolitografia DUV (wymiar krytyczny 0,8–1 µm) oraz elektronolitografia EBL (rozdzielczość 50 nm, dokładność wzoru <15 nm).

8. Czy można tu zlecić prototypowanie przyrządów z węgliku krzemu (SiC)? Tak, oddział oferuje prototypowanie tranzystorów, diod i struktur testowych z SiC oraz półprzewodników tlenkowych – kontakt: 22 279 32 01.

Materiał źródłowy stanowiła strona imif.lukasiewicz.gov.pl . Dane mogą się zmieniać – warto sprawdzić je na oficjalnej stronie.